Kung ang mga electron ug mga lungag maghiusa pag-usab, kini makapadan-ag sa makita nga kahayag, aron kini magamit sa paghimo og mga light-emitting diode.Gigamit ingon nga mga suga nga timailhan sa mga sirkito ug mga instrumento, o gilangkuban sa teksto o digital nga mga pasundayag.Ang gallium arsenide diodes nagpagawas ug pula nga kahayag, ang gallium phosphide diode nagpagawas ug berde nga kahayag, ang silicon carbide diode nagpagawas ug dalag nga kahayag, ug ang gallium nitride diode nagpagawas og asul nga kahayag.Tungod sa kemikal nga mga kabtangan, gibahin kini sa organikong light-emitting diode OLED ug dili organikong light-emitting diode LED.

Ang light-emitting diode kay kasagarang gigamit nga light-emitting device nga nagpagawas ug enerhiya pinaagi sa recombination sa mga electron ug mga buho aron mobuga ug kahayag.Sila kaylap nga gigamit sa natad sa suga.[1] Ang mga light-emitting diode episyente nga maka-convert sa elektrikal nga enerhiya ngadto sa kahayag nga enerhiya ug adunay daghang mga gamit sa modernong katilingban, sama sa suga, flat panel display, ug medikal nga mga himan.[2]

Kini nga matang sa elektronik nga mga sangkap nagpakita sa sayo pa sa 1962. Sa unang mga adlaw, sila makahimo lamang sa pagpagawas sa ubos nga kahayag nga pula nga kahayag.Sa ulahi, ang ubang mga monochromatic nga bersyon naugmad.Ang kahayag nga mahimong mabuga karon mikaylap ngadto sa makita nga kahayag, infrared ug ultraviolet nga kahayag, ug ang kahayag usab misaka sa usa ka igo nga gidak-on.Ang kahayag.Ang paggamit gigamit usab ingon mga suga nga timailhan, mga panel sa display, ug uban pa;uban sa padayon nga pag-uswag sa teknolohiya, ang mga light-emitting diode kaylap nga gigamit sa mga display ug suga.

Sama sa ordinaryo nga mga diode, ang light-emitting diodes gilangkuban sa usa ka PN junction, ug sila usab adunay unidirectional conductivity.Sa diha nga ang forward boltahe gipadapat sa light-emitting diode, ang mga lungag nga gi-injected gikan sa P nga dapit ngadto sa N nga dapit ug ang mga electron nga gi-injected gikan sa N nga dapit ngadto sa P nga dapit mao ang tinagsa sa kontak sa mga electron sa N nga dapit ug sa mga voids. sa P nga dapit sulod sa pipila ka microns sa PN junction.Ang mga lungag naghiusa pag-usab ug nagpatunghag kusog nga emission fluorescence.Ang mga estado sa enerhiya sa mga electron ug mga lungag sa lainlaing mga materyales sa semiconductor lahi.Kung ang mga electron ug mga lungag mag-recombine, ang enerhiya nga gipagawas medyo lahi.Ang dugang nga enerhiya nga gipagawas, ang mas mubo nga wavelength sa gibuga nga kahayag.Ang kasagarang gigamit mao ang mga diode nga nagpagawas og pula, berde o dalag nga kahayag.Ang reverse breakdown boltahe sa light-emitting diode labaw pa sa 5 volts.Ang kurba sa kinaiya nga boltahe sa unahan taas kaayo, ug kinahanglan kini gamiton sa serye nga adunay usa ka resistor nga naglimite sa karon aron makontrol ang sulud pinaagi sa diode.

Ang kinauyokan nga bahin sa light-emitting diode usa ka wafer nga gilangkoban sa usa ka P-type nga semiconductor ug usa ka N-type nga semiconductor.Adunay usa ka layer sa transisyon tali sa P-type semiconductor ug sa N-type nga semiconductor, nga gitawag nga PN junction.Sa PN junction sa pipila ka mga semiconductor nga mga materyales, kung ang gi-injected nga minoriya nga mga carrier ug ang kadaghanan nga mga carrier mag-recombine, ang sobra nga enerhiya gipagawas sa porma sa kahayag, sa ingon direkta nga nag-convert sa elektrikal nga enerhiya ngadto sa kahayag nga enerhiya.Uban sa reverse boltahe nga gipadapat sa PN junction, lisud ang pag-inject sa mga minoriya nga carrier, mao nga dili kini mobuga og kahayag.Kung kini anaa sa usa ka positibo nga kahimtang sa pagtrabaho (nga mao, usa ka positibo nga boltahe ang gipadapat sa duha ka tumoy), kung ang kasamtangan nga nagaagay gikan sa LED anode ngadto sa cathode, ang semiconductor nga kristal nagpagawas sa kahayag sa lain-laing mga kolor gikan sa ultraviolet ngadto sa infrared.Ang intensity sa kahayag nalangkit sa kasamtangan.